Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
reaktives Gasentladungsplasma — reaktyvioji dujų plazma statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive gas plasma vok. reaktives Gasentladungsplasma, n; reaktives Gasplasma, n rus. реактивная газоразрядная плазма, f pranc. plasma réactif à décharge gazeuse, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Reaktives Ionenätzen — Plasma unterstütztes Ätzen ( physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen eine alternative Strukturierungverfahren zu dem … Deutsch Wikipedia
plasma réactif à décharge gazeuse — reaktyvioji dujų plazma statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive gas plasma vok. reaktives Gasentladungsplasma, n; reaktives Gasplasma, n rus. реактивная газоразрядная плазма, f pranc. plasma réactif à décharge gazeuse, m … Radioelektronikos terminų žodynas
reactive gas plasma — reaktyvioji dujų plazma statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive gas plasma vok. reaktives Gasentladungsplasma, n; reaktives Gasplasma, n rus. реактивная газоразрядная плазма, f pranc. plasma réactif à décharge gazeuse, m … Radioelektronikos terminų žodynas
reaktyvioji dujų plazma — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive gas plasma vok. reaktives Gasentladungsplasma, n; reaktives Gasplasma, n rus. реактивная газоразрядная плазма, f pranc. plasma réactif à décharge gazeuse, m … Radioelektronikos terminų žodynas
реактивная газоразрядная плазма — reaktyvioji dujų plazma statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive gas plasma vok. reaktives Gasentladungsplasma, n; reaktives Gasplasma, n rus. реактивная газоразрядная плазма, f pranc. plasma réactif à décharge gazeuse, m … Radioelektronikos terminų žodynas
RIE — Plasma unterstütztes Ätzen ( physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen eine alternative Strukturierungverfahren zu dem … Deutsch Wikipedia
Plasma-unterstütztes Ätzen — (physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen sie alternative Strukturierungsverfahren zum sog. Nassätzen (nasschemischen … Deutsch Wikipedia
